三星电子开始大规模生产128Gb，3-bit MLC NAND闪存芯片

2012年11月，三星推出64Gb NAND闪存芯片，采用10nm工艺生产。近日，三星电子宣布，已经开始大规模生产128Gb，3-bit MLC NAND闪存芯片，并且采用10nm制程。
三星表示，新的三星128Gb闪存，拥有400Mbps数据传输速率，采用DDR 2.0接口。产品针对未来的高密度内存解决方案，如嵌入式NAND存储和固态驱动器（SSD）。三星表示，该公司将扩大其供应的128GB内存卡，也准备研发容量超过500GB的固态硬盘。
三星内存销售及市场营销执行副总裁表示，这种新的芯片是三星NAND闪存进化关键，及时生产将提高三星在高密度闪存存储市场的竞争力。

本文标题：三星电子开始大规模生产128Gb，3-bit MLC NAND闪存芯片
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