三星量产3D垂直设计闪存V-NAND
栏目：iT资讯 来源：网络 关注：0 时间：2013-08-06
据消息称，三星电子今日宣布，公司已开始批量投产全球首款采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”，该技术可使NAND闪存的可靠性最高提升10倍，并广泛适用于消费电子和企业级产品。
三星称，V-NAND单颗芯片容量为16GB，内部通过3D CTF电荷捕型获闪存技术以及垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍最多为10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。V-NAND单颗芯片容量为16GB，内部通过3D CTF电荷捕型获闪存技术以及垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍最多为10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。
三星还表示，其研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起，并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔，实现各个层的电子互连。三星还透露经过十多年的研发，他们已经在3D存储技术上拥有300多项专利。
据悉，早在2006年三星就研发了CTF技术，在这种结构的NAND闪存中，电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上，而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在，三星又成功把这种结构推向了三维层面。
三星称，V-NAND单颗芯片容量为16GB，内部通过3D CTF电荷捕型获闪存技术以及垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍最多为10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。V-NAND单颗芯片容量为16GB，内部通过3D CTF电荷捕型获闪存技术以及垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍最多为10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。
三星还表示，其研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起，并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔，实现各个层的电子互连。三星还透露经过十多年的研发，他们已经在3D存储技术上拥有300多项专利。
据悉，早在2006年三星就研发了CTF技术，在这种结构的NAND闪存中，电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上，而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在，三星又成功把这种结构推向了三维层面。
本文标题：三星量产3D垂直设计闪存V-NAND
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